Pertanyaan
1. Gambar diagram pita energi dari semikonduktor intrinsik, tunjukkan pita valensi, pita konduksi, dan celah energi Jelaskan bagaimana diagram ini berubah setelah doping untuk membentuk semikonduktor tipe -p dan jelaskan bagaimana hal ini mempengaruhi ketersediaa pembawa muatan. 2. Sebuah semikonduktor memiliki mobilitas elektron mu _(n)=300cm^2/Vcdot s mu _(p)=900cm^2/Vcdot s Jika medan listrik E=200V/cm menghasilkan densitas arus J=0.15A/cm^2 tentukan apakah semikonduktor tersebut bertipe n atau p berdasarkan dominasi kontribusi elektron atau hole terhadap total densitas arus. 4. Apakah yang dimasud engan Level Fermi? Dalam semikonduktor tipe-P, level Fermi berada 0,3 eV di atas pita valensi pada suhu ruangan 300^circ K Tentukan posisi baru level Fermi untuk suhu 400^circ K ! 5. Gambar dan jelaskan prinsip kerja dioda IMPATT! 6. Kirimkan jawaban Anda ke e-learning.
Jawaban
Diagram pita energi semikonduktor intrinsik menunjukkan pita valensi (pita E\_v) dan pita konduksi (pita E\_c) yang terpisah oleh celah energi (E\_g). Setelah doping untuk membentuk semikonduktor tipe-p, pita valensi bergerak lebih dekat ke pita konduksi, mengurangi celah energi dan meningkatkan ketersediaan pembawa muatan positif (hole).
2. Penjelasan:
Dengan menggunakan persamaan densitas arus J = nqμE, kita dapat menghitung kontribusi arus dari elektron dan hole. Dengan menghitung kontribusi arus dari masing-masing pembawa muatan dan membandingkannya dengan densitas arus total, kita dapat menentukan apakah semikonduktor tersebut bertipe n atau p.
Jawaban:
Dengan menggunakan persamaan densitas arus J = nqμE, kontribusi arus dari elektron adalah J\_e = n\_e q μ\_e E dan kontribusi arus dari hole adalah J\_h = n\_h q μ\_h E. Dengan membandingkan J\_e dan J\_h dengan densitas arus total J, semikonduktor tersebut bertipe p karena kontribusi hole lebih dominan.
3. Penjelasan:
Level Fermi (E\_f) adalah tingkat energi di mana probabilitas menemukan elektron adalah 50%. Dalam semikonduktor tipe-p pada suhu ruangan, level Fermi berada 0,3 eV di atas pita valensi. Untuk menentukan posisi baru level Fermi pada suhu 400 K, kita dapat menggunakan hubungan antara level Fermi dan suhu.
Jawaban:
Level Fermi (E\_f) adalah tingkat energi di mana probabilitas menemukan elektron adalah 50%. Pada suhu 400 K, posisi baru level Fermi dapat dihitung menggunakan hubungan E\_f = kT, di mana k adalah konstanta Boltzmann dan T adalah suhu dalam Kelvin. Dengan memasukkan nilai-nilai yang diberikan, kita mendapatkan E\_f = 0,3 eV + kT, di mana k = 8,617 x 10^-5 eV/K dan T = 400 K.
4. Penjelasan:
Dioda IMPATT (Impact Avalanche Transit Time dioda) adalah jenis dioda yang beroperasi dengan memanfaatkan efek tunneling termal. Dengan mengaplikasikan tegangan maju ke dioda, elektron dan hole dapat menembus pita penghalang, menghasilkan aliran arus.
Jawaban:
Dioda IMPATT beroperasi dengan memanfaatkan efek tunneling termal. Ketika tegangan maju diterapkan, elektron dan hole dapat menembus pita penghalang, menghasilkan aliran arus.
5. Penjelasan:
Dioda IMPATT adalah dioda yang beroperasi dengan memanfaatkan efek tunneling termal. Dengan mengaplikasikan tegangan maju, elektron dan hole dapat menembus pita penghalang, menghasilkan aliran arus.
Jawaban:
Dioda IMPATT beroperasi dengan memanfaatkan efek tunneling termal. Ketika tegangan maju diterapkan, elektron dan hole dapat menembus pita penghalang, menghasilkan aliran arus.
6. Penjelasan:
Untuk mengirimkan jawaban ke e-learning, Anda perlu mengikuti instruksi yang diberikan oleh platform e-learning yang Anda gunakan. Biasanya, Anda dapat mengirimkan jawaban melalui antarmuka online atau mengunggah file yang berisi jawaban.
Jawaban:**
Penjelasan
Diagram pita energi semikonduktor intrinsik menunjukkan pita valensi (pita E\_v) dan pita konduksi (pita E\_c) yang terpisah oleh celah energi (E\_g). Setelah doping, semikonduktor tipe-p terbentuk dengan menambahkan dopan tipe-p (misalnya, boron) yang menyebabkan pita valensi bergerak lebih dekat ke pita konduksi, mengurangi celah energi. Ini meningkatkan ketersediaan pembawa muatan positif (hole).
Pertanyaan Panas
lebih
2. Besar hambatan resistor yang dipasang secara seri yaitu Rs= R1+R2+R3+ldots sedangkan besar hambatan resistor yang dipasang secara paralel yaitu Rp
10. Alat ukur yang sesuai dengan nama besarannya adalah __ neraca mengukur volume gelas ukur mengukur panjang jangka sorong mengukur massa termomet er
Dalam satuan volume , persamaan satuan untuk cm^3 adalah __ a. I dm^3 b. mm C. I m^3 d. dl e. ml
Berikut ini yang merupakan contoh pengamatan kuantitatif dalam suatu percobaan yaitu __ Ifa mengamati dua lampu yang disusun seri. Saat salah satu lam
perangkat yang digunakan untuk membatas arus listrik dan pengaman ketika ada beban lebih , bekerja secara otomatis memutus arus listrik ketika arus ya
19. Massa jenis merupakan hasil bagi antara massa dengan volume benda. Dimensi massa jenis adalah __ A. [M][L] D [M][L]^2 B [M][L]^-2 E [M][L]^-3 C. [
2. Dahulu orang sering menggunakan anggota tubuh sebagai satuan pengukuran seperti di bawah ini, kecuali __ jengkal, depa dan langkah meter, kilogram
) Pads parjing diperoleh dute 50.001 cm jumlah angks penting adalah __ A. I C. t B. or B. 3 D. 7
1. Suatu benda dikatakan bergerak apabila __ A. Berada di tempat yang sama B. Mengalami perubahan posisi terhadap titik acuan C. Bentuknya selalu beru
suatu lampu di aliri listrik selama 20 menit ,bila muatan elektron besarnya 1,6times 10^-19 coulomb ,dan arus yang mengalir itu 4 ampere ,maka jumlah
Suatu percobaan tentang pengaruh suhu terhadap laju reaksi didapatkan data bahwa kenaikan suhu sebesar 20^circ C dapat memperbesar kecepatan reaksi re
suatu lampu di aliri listrik selama 20 menit ,bila muatan elektron besarnya 1,6times 10^-19 coulomb ,dan arus yang mengalir itu 4 ampere ,maka jumlah
3. Sebuah benda yang mula-mula diam mengalami percepatan konstan 4m/s^2 Berapa kecepatan benda tersebut setelah 10 detik?
4. Pilihlah jawaban yang benar dan jelaskan alasannya Sebuah elektron dengan n=3 dan m a. harus memiliki m_(s)=+(1)/(2) b. harus memiliki l=1 c. boleh
Dua muatan q1=-4mu C dan q2=+32mu C berjarak 10 cm seperti gambar . Besar kuat medan listrik di titik P adalah __ 450. 10 (pangkat) 7N/C 0,45.10 (pang